正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOI MOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究

本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,它可以直接测得应力产生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.对于本文测量的器件,得到了预期的应力产生的净界面陷阱密度和累计应力时间的幂指数关系,即ΔN<,it>~t<”0.787>.
栅控二极管 应力效应 界面陷阱,产生-复合电流 SOI MOS管
黄爱华 何进 张兴 黄如
北京大学微电子研究所
国内会议
昆明
中文
254-257
2001-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)