通过离子注入进行硅基GaN的P型掺杂

摘要：

本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N<,2>气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10<”17>/cm<”3>,迁移率为9.39cm<”2>/Vs,从而形成PN结,这些工作为后续的GaN器件的研制打下了基础.

关键词： 离子注入 GaN薄膜 Mg掺杂

作者: 张昊翔 叶志镇 赵炳辉 王宇 李嘉炜

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 206-208

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）