衬底温度对Co38(MgF2)62颗粒膜磁电阻效应的影响
利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co<,38>(MgF<,2>)<,62>颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应的影响.发现随衬底温度增加,膜中颗粒逐渐长大,颗粒间距也逐渐增大.薄膜的磁电阻值随衬底温度从573K降低首先增加,在室温下制备的样品中磁电阻值达到最大-8﹪,而当衬底温度降低到液氮温度时,其TMR值反而减小.表明只有合适的衬底温度才能有较大的TMR值,并不是衬底温度越低越好.
纳米颗粒薄膜 磁电阻效应 衬底温度 射频共溅射法
池俊红 刘春明 李成贤 葛世慧
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室(兰州)
国内会议
兰州
中文
71-72
2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）