挑战特征线宽＜100nm的半导体设备

摘要：

目前一个庞大的半导体设备产业,支撑着快速发展并走向极限的半导体产业.在进入新千年的时候,半导体技术即将跨越特征线宽100nm技术节点的时候,半导体设备厂商已在积极进行研发,赶在大生产来临之前提供商品化产品.本文就一些关键问题作一介绍.

关键词： 特征线宽 半导体设备 半导体技术 纳米材料 光刻 刻蚀

作者: 董大为

作者单位: 北京建中机器厂(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 10-15

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）