复合栅控二极管技术提取热载流子诱生的SOI NMOS器件界面陷阱横向分布的研究

摘要：

本文提出了复合栅控二极管技术提取MOS器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的SOI NMOS器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的模向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.

关键词： 复合栅控二极管 SOI MOS器件 界面陷阱 横向分布 测试方法

作者: 何进 黄爱华 张兴 黄如

作者单位: 北京大学微电子所SOI室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 251-253

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）