新一代硅——SOI技术的新进展

摘要：

SOI(silicon-on-insulator)被国际上公认为是“二十一世纪的硅集成电路技术”,本文综述了SOI技术新进展.SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化.在高温与辐射环境下工作的SOI电路已走向市场.近年来,移动电子系统的迅速发展以SOI材料在低压、低功耗、高速电路方面所具有的优势,已使SOI材料成为制备低压低功耗电路的首选材料.

关键词： SOI材料 半导体集成电路 制备技术 注氧隔离技术 智能剥离技术

作者: 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 243-250

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）