一种运用于高压、高速驱动器的自对准多晶硅发射互补双极工艺

摘要：

本文介绍了一种运用于高压双极电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射极双极互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV<,CEO>>50V、f<,T>=1.8GHz,PNP管BV<,CEO>>70V、f<,T>=425MHz.将这一工艺应用于高压、高速驱动器SW217的研制,成功地作出了电源电压为45V、速度≤250ns的高压、高速驱动器电路.

关键词： 自对准多晶硅发射极工艺 结隔离互补双极工艺 高速驱动器 半导体晶体管 工艺流程

作者: 叶冬 陈鹏 刘建华 刘先锋

作者单位: 信息产业部电子24所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 239-242

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）