硅高速分频器的工艺研究

摘要：

采用2μm硅双极工艺研制的全温下8分频的静态分频器,工作频率可达2.4GHz/350mw.晶体管的特征频率达7.0GHz,该氧化物隔离多晶硅接触工艺在高速数字,模拟混合电路的研制中有广泛的推广前景.

关键词： 分频器 特征频率 电流容量 电路原理

作者: 李荣强 冯兆兰 张正璠

作者单位: 信息产业部电子第二十四研究所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 233-235

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）