一种2umCMOS工艺

摘要：

介绍了一种2um硅栅自对准CMOS工艺.采用双阱、双掺杂栅结构,全离子注入和快速热退火制备的2um MOSFET能克服短沟效应和抗热载流子的能力,作出了满足16位A/D转换器需要的模块电路.

关键词： 2umCMOS 硅栅自对准 半导体集成电路 制造工艺 离子注入 工艺流程

作者: 胡永贵

作者单位: 电子24所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 228-232

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）