MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

摘要：

采用高频C-V曲线方法,研究了500A及150AMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程,发现电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10<”3>GY(Si)剂量下同栅SiO<,2>厚度成正比,而在5×10<”3>GY(Si)剂量下同栅SiO<,2>厚度的2倍成正比,利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO<,2>界面附近分布的距离均约为40A.

关键词： 电离辐射 隧道退火 空穴陷阱电荷 MOS电容

作者: 刘忠立

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 224-227

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）