离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

摘要：

本论文研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO<,2>的特性.实验证明氮化后的薄SiO<,2>栅具有明显的抗硼穿通能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Q<,bd>)比常规栅介质提高了20﹪.

关键词： 离子注入 氮 SiO<,2>栅介质 硼扩散

作者: 王延峰 刘忠立

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 220-223

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）