隧穿效应的蒙特卡罗模拟

摘要：

本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧不同的掺杂浓度下的正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,在比较高的掺杂浓度和比较低的工作温度下,隧穿电流成为结电流主要的部分.

关键词： 隧穿效应 隧穿电流 隧穿模型 掺杂浓度 半导体器件 蒙特长罗法

作者: 孙雷 刘晓彦 杜刚 韩汝琦

作者单位: 北京大学微电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 212-215

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）