深槽刻蚀研究及在IC隔离中的应用

摘要：

本文报道了用ICP技术刻蚀出窄深槽结构.槽宽1～2.5μm,槽深7～25μm,刻蚀速率2μm/min,陡直度89度.该结构可以应用到MEMS和IC的隔离中.

关键词： 深槽刻蚀 刻蚀工艺 感应离子刻蚀技术

作者: 齐臣杰 岳瑞峰 刘理天

作者单位: 清华大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 209-211

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）