原子力显微镜测量光辅助湿法刻蚀后的氮化镓并估算其位错密度

摘要：

对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜(AFM)的分析,可以估算氮化镓的位错密度.并采用X-ray衍射的二维三轴maping图谱(TDTAM)计算位错密度的方法对估算结果进行验证,得到一致的结果.表明:使用光辅助湿法刻蚀氮化镓后的AFM分析估算氮化镓的位错密度是一个有效而直观的方法.

关键词： 氮化镓 分子束外延 位错密度 湿法刻蚀 X-ray衍射分析

作者: 赵智彪 齐鸣 李爱珍 李伟 祝向荣

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 64-67

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）