GaAs(001)衬底上分子束外延生长六方GaN薄膜

摘要：

本文在国产的MBE系统中,首次采用AlAs成核层在GaAs(001)衬底上发生出了六方GaN.采用LT-AIN代替LT-GaN作为缓冲层改善GaN外延薄膜的质量.

关键词： GaN GaAs衬底 分子束外延生长 外延层质量 半导体材料

作者: 刘洪飞 陈弘 万里 李东升 黄绮 周均铭

作者单位: 中国科学院物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 62-63

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）