立方GaN外延层的热稳定性研究

摘要：

本文对GaAs(001)衬底上分子束外延生长的立方GaN的热稳定性做了研究,研究表明随着退火温度的提高样品表面粗糙度减小.

关键词： GaN 热稳定性 分子束外延生长 退火温度 半导体材料

作者: 刘洪飞 陈弘 万里 李东升 黄绮 周均铭

作者单位: 中国科学院物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 61

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）