HP-Si3N4陶瓷表面微裂纹的扩展

摘要：

利用SEM对HP-Si<,3>N<,4>陶瓷表面微裂纹扩展作了观察分析.结果表明:陶瓷材料疲劳裂纹主要是沿晶扩展,裂纹的偏转及闭合是扩展不均匀的重要原因;裂纹在进入一个颗粒时,扩展速率率,而当裂纹接近晶界时,扩展速率会减慢.

关键词： 工程陶瓷 裂纹扩展 微结构 扫描电子显微镜

作者: 牟善彬 苏小萍 宋显辉

作者单位: 武汉理工大学材料研究与测试中心(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国MTS材料试验学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 138-139

在线出版日期: 2001-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）