用陷阱参数预测MOS器件的失效时间

关键词： 陷阱参数 MOS器件 电参数 跨导(gm)

作者: 解冰 许铭真 谭长华

作者单位: 大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 519～522

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）