双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤

摘要：

该文综合介绍了双极线性集成电路在低剂量辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上复盖了厚氧化物，低剂理率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒，氧化物内存在的过量电荷使器件产生增强损伤。

关键词： 线性集成电路 低剂量率 辐射 增强损伤

作者: 陈盘训

作者单位: 中物院应用电子学研究所(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 139～145

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）