线切割硅片的表面损伤

摘要：

该文利用台阶仪、扫描电镜和Ｘ射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大，外表面损伤大，但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。该文还讨论了影响线切割硅片表面损伤的可能原因。

关键词： 线切割 硅片 表面损伤

作者: 樊瑞新 卢焕明 张锦心 杨德仁 阙端麟

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 94～95

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）