InGaAlP超高亮LED性能及可靠性

摘要：

该文汇集各厂家InGaAlP超高亮LED芯片，并制成器件，对其进行多种性能对比分析，着重对饱和电流、电耐久性和封装工艺进行探讨。该文对选用超高亮LED器件有所借鉴。

关键词： 超高亮 电耐久性 饱和电流

作者: 郑智斌 彭万华

作者单位: 厦门华联电子有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 68～72

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）