掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究
本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X-射线,紫外可见光吸收和电阻的测量结果,显示薄膜为纳米级颗粒组成,掺锡前后基本结构不变;掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰显著下降,且三个峰位都有微小红移;电阻随温度增加而呈指数衰减,呈半导体型,霍尔效应证实为N型半导体.
锡掺杂 紫外可见光吸收 电阻 C60薄膜
伍春燕 张海燕 何艳阳 朱燕娟 陈易明 梁远博
广东工业大学应用物理系(广州)
国内会议
杭州
中文
F96-F99
2001-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)