恒电位电解法掺稀土对多孔硅光致发光性能的影响
研究了恒电位电解法掺稀土(Er、Nd与Yb)对多孔硅(PS)室温可见区光致发光性能的影响。结果表明:适当高浓度稀土的掺入可以提高PS的发光强度、使PS发光波长蓝移;掺入稀土浓度过高对PS的发光起猝灭作用。掺稀土可以缩短PS发光衰减的平均寿命,而不影响衰减曲线的形状。提出用“表面态辅助的量子限制效应”观点来解释PS和掺稀土多孔硅的致发光。
稀土 多孔硅 光致发光 表面态 量子限制效应
张晓霞 田峻 曾春莲
中山大学超快速激光光谱学国家重点实验化学与化工学院
国内会议
北京
中文
451~456
2000-11-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)