会议专题

全铌隧道结dc SQUID 的制备和研究

该文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结dc SQUID的制备。根据铌结的SteWart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻,消除了结的回滞,并联电阻后的1-V曲线很好的符合RSJ模型。为了获得大的磁通电压调制幅度,设计了较小的SQUID环孔,环孔电感为L~25pH。由此制备的SQUID具有传输函数~1.4mV/Φ<,0>。其本征能量分辨率达~24h。

超导隧道结 磁控溅射

杜寰 杨乾声

院物理研究所,凝聚态物理中心

国内会议

第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议

合肥

中文

133~136

1998-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)