2212-BSCCO本征约瑟夫森器件(MESA)的制备和研究

摘要：

用刻蚀方法可在2212-BSCCO单晶表面作出截面积为十至几十微米、C轴方向厚度为几个至几十个单胞的MESA器件。这种结构不仅有利于对2212－BSCCO本征约瑟夫森特性的研究，而且可制成高频本征约瑟夫森器件。

关键词： 超导器件 本征约瑟夫森器件 离子刻蚀

作者: 罗胜 王世光

作者单位: 科技大学物理系 大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 105～110

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）