半导体器件无损筛选研究
半导体器件的无损筛选不同于普通统计筛选。它通过少量器件辐照试验，实现对未辐照器件按辐照性能进行筛选分类的目的。此技术可以筛选出辐射性能提高几倍的器件。对同批450只3CO1B型场效应管进行的无损筛选试验研究了此方法的可行性和实用性。对随机抽取的26只样品，通过辐照前器件信息参数测试和钴源辐照后性能参数测试，计算相关系数和信息系数，得到对单个器件适用的辐照性能变化预测公式。实测值和预测值最大误差7℅左右。
无损筛选 半导体器件 抗辐射加固 商业器件筛选
徐曦
中国工程物理研究院电子工程研究所(成都)
国内会议
江苏扬州
中文
270～279
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）