离子束合成的钇硅化物结构相变研究
利用离子注入方法在Si(111)衬底上制备出钇硅化物,并对其结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在注入过程中已形成了部分六方相YSi <,2>,退火后YSi <,2>呈现择优取向.从退火过程中原位测量样品的方块电阻发现,当退火温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相Ysi, Ysi/ Ysi<,2>的相转变出现在240℃,随退火温度的进一步升高,Y原子均与基底的Si原子发生反应,形成六方相的Ysi<,2>.
钇硅化物 离子注入 固相反应 电阻测量
王文武 姜宁 谢二庆 贺德衍
兰州大学物理系(兰州)
国内会议
哈尔滨
中文
132-133
2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）