恒温电容瞬态时间乘积谱
(0) 传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C<,60>(C<,70>),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C<,70>固体p-GaAs结构的深能级,结果发现C<,70>固体膜中存在两个空穴陷阱,H<,1>和H<,2>,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×10<”11>/cm<”2>和6.5×10<”10>/cm<”2>.
电容瞬态 时间 乘积谱 溶能级 半导体缺陷
陈开茅 陈源 傅济时 张伯蕊 朱美栋 乔永平 孙允希 武兰青
北京大学物理系(北京)
国内会议
南京
中文
36-39
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）