多介质工艺X射线光刻制作T形栅

摘要：

半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.采用X射线多介质工艺制作T形端,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺.

关键词： 赝质结高电子迁移率晶体管 T形栅 多介质工艺 X射线光刻

作者: 叶甜春 谢常青 孙加兴 申云琴 刘刚

作者单位: 中科院微电子中心(北京) 天津大学电子信息工程学院(天津) 中国科技大学国家同步辐射实验室(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会薄膜技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 239-241

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）