a-Si:H/Al/a-Si:H三层复合膜的低温晶化研究

摘要：

采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的”单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a-Si:H/Al/ a-Si:H三层复合薄膜,并利用XRD,XPS及SEM等方面对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究.结果表明,随着热处理过程的进行,金属Al逐步向表面扩散,在金属Al诱导下a-Si:H层出现晶化的温度不高于250℃.在Al层厚度低于22nm时, a-Si:H向晶态硅转变量的与Al量厚度无关.

关键词： 复合薄膜 a-Si:H 低温晶化

作者: 王瑞春 杜丕一 沈鸽 翁文剑 韩高荣 赵高凌 张溪文

作者单位: 浙江大学材料系硅材国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会薄膜技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 234-238

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）