原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响

摘要：

以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM,Raman,XRD和FTIR等手段对样品进行了分析表征.实验结果表明,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性、生长速率以及薄膜的微结构特征等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比;如果氮源气体流量适当,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合.

关键词： 氮掺杂 化学气相沉积 工艺参数 工艺流程

作者: 邵乐喜 刘小平 屈菊兰 谢二庆 贺德衍 陈光华

作者单位: 湛江师范学院物理系(湛江) 湛江师范学院测试中心(湛江) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州) 北京工业大学材料科学与工程学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会薄膜技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 221-223,233

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）