CdSe超薄层的光致发光特性研究

摘要：

该文研究了在ZnSe基质中CdSe超薄层的光致发光(PL)特性，通过比较不同生长周期及温度的超薄层的PL认为发光峰的半高全宽值(PWHM)是由界面扩散与界面粗糙度及阱宽涨落共同决定的，而且界面扩散不利于外延层通过释放应力形成自组装量子点的形式来降低体系界面应力能。

关键词： 超薄层 生长周期 光致发光

作者: 羊亿

作者单位: 中国科学院激发态物理开放实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 102～104

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）