Ni2MnGa合金的价电子结构研究

摘要：

本文用”固体与分子经验电子理论”研究了Ni <,2>MnGa合金的价电子结构,研究结果表明,在Ni <,2>MnGa中,Ni的杂化状态为B种杂化第11阶;Mn的杂化状态为B种杂化第9阶,Ga为A种第10阶杂化.Ni的原子磁矩计算值为3.8666μ<, B>,与试验值4μ<, B>十分接近.最强的共价键是Ni-Mn键,其上的共价电子对数为0.5394,其次为Ni-Ga键,其价电子对数为0.5283,其它键上的共价电子对数小于0.2.由此可以说明, Ni-Mn和Ni- Ga键合在Ni <,2>MnGa合金马氏体相变过程中起重要作用.

关键词： 经验电子理论 Na <,2>MnGa合金 铁磁合金 价电子结构 马氏体相变

作者: 郑馥 蔡伟 赵连城

作者单位: 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(黑龙江哈尔滨)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国青年材料科学技术研讨会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 209-210

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）