真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究
本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜-酞菁铅复合膜.光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关.光吸收谱分析表明复合膜的吸收带(Q带)明显发生宽化,其波长覆盖范围扩展到600～1200nm.进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁酮和酞菁铅吸收谱的简单叠加,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强,吸收边有明显的红移现象,本文对这一现象进行了简单的描述.
酞菁 复合膜 电荷转移 真空共蒸法 光学特性
季振国 朱玲 汪茫 阙端麟 王家为 郭伟民 刘焕明
浙江大学材料与化工学院硅材料国家重点实验室(杭州) 香港中文大学先进表面与材料分析中心(香港沙田)
国内会议
北京
中文
182-185
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）