会议专题

温度对碳热还原合成SiC晶须的影响

以工业硅溶胶和碳黑为主要原料, 用溶胶-凝胶和碳热还原法进行了合成SiC晶须的试验,探讨了合成温度对产物组成微观形貌的影响.结果表明:合成SiC晶须适合的温度为1600℃,在此条件下得到的产物中SiC晶须含量最高(74℅以上)、质量最好.

溶胶-凝胶 碳热还原反应 温度 SiC晶须

万隆 李德意 刘文超 魏坤 唐绍裘

湖南大学

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2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)