128×128InSb焦平面探测器背减薄技术

摘要：

背减薄技术是InSb红外焦平面探测器的关键技术之一.本文着重介绍了探测器背减薄技术的研究.重点分析了研磨,抛光以及精抛对器件性能的影响.目前已较好的掌握了减薄至20μm的磨抛技术.

关键词： 背减薄技术 红外焦平面探测器 研磨 抛光

作者: 曹凌霞 邱宏 董硕

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 125-126

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）