HgCdTe P-N结环孔工艺现状

摘要：

本文详细叙述了HgCdTe P-N结的环孔工艺的发展及现状,分析了环孔工艺的理论机理,介绍了HgCdTe环孔P-N结的检测技术,并对HgCdTe环孔工艺进行了评价与思考.

关键词： HgCdTe 环孔工艺 红外技术

作者: 高伟 蔡毅

作者单位: 昆明物理研究所(云南昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 118-120

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）