HgCdTe MIS器件研究进展

摘要：

本文通过在P-HgCdTe上生长自身硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特笥的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在10<”10>到10<”11>之间,平带电压在2V以下.已基本上能满足HgCdTe红外焦平面的表面钝化的要求.

关键词： HgCdTe MIS器件 C-V特性 ZnS

作者: 张朝阳 昆明物理研究所(昆明) 蔡毅 张鹏翔

作者单位: 昆明理工大学材料系（昆明） 昆明物理研究所(昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 98-101

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）