长波HgCdTe光导探测器在激光辐照后的电学参数的变化
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变动率激光辐照,测量了辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法与实验结果进行拟合,结果表明辐照HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化而导致的.
光导探测器 激光辐照 电阻-温度特性 拟合
朱克学 张赟 李向阳 龚海梅 方家熊
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室(上海)
国内会议
宁波
中文
93-97
2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)