大直径HgCdTe晶体生长工艺原理和实验
本文对大直经(Φ=40mm)HgCdTe晶体生长过程中存在的高汞压引起的生长管爆炸和严重的组份分凝引起的组份不均匀这两大难题进行分析.介绍解决这两大难题的方法:一是在生长管外施加一定气压来抵消生长管内的部分汞气区;二是从低熔点的低组分HgCdTe溶体中生长出较高组合的HgCdTe晶体,从而降低生长温度,这样即可降低汞气压,又可减小组分分凝;三是加高组分HgCdTe到低组分HgCdTe熔体中以补充CdTe的消耗,从而生长出纵向组分均匀性好的晶体.并介绍这种方法的实验过程和实验结果.
HgCdTe 晶体生长 Bridgman法
李全葆 韩庆林 王跃
昆明物理研究所(昆明)
国内会议
宁波
中文
53-55
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）