高能Ar+离子辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光研究
采用能量2GeV、剂量10<”10>～10-<”14>cm<”-2>的Ar<”+>离子辐射了P型Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果得分析表明,Ar<”+>离子辐照在Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心,引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移的降低.随着辐照剂量的增大,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大.
CdZnTe 电学特性 光致发光
裴慧元 李向阳 龚海梅 方家熊
中国科学院传感技术国家重点实验室、上海技术物理研究所(上海)
国内会议
宁波
中文
28-31
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）