离子束刻蚀反型成结64×64HgCdTe长波焦平面器件的研究

摘要：

本文介绍了我所64×64HgCdTe长波焦平面器件的最新进展.该器件采用我所自己研制的LPB薄膜材料,离子束刻蚀反型成结.In柱倒装互连结构.测试结果表明:离子束刻蚀反型成结64×64HgCdTe长波焦平面器件的平均峰值电压响应率为68×10<”7>(V/W),平均峰值探测率为2.5×10<”10>cm.Hz<”1/2>/W.离子束刻蚀反型成结是制造IRFPA器件的又一有效技术途径.

关键词： 焦平面器件 离子束刻蚀 HgCdTe

作者: 雷胜琼 蔡毅

作者单位: 昆明物理研究所(云南昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 24-27

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）