Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究

摘要：

研究了单层Ge-Sb-Te-O射频溅射薄膜在400nm～800nm区域的光学常数(N,K)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度,可以通过氧掺杂改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能.

关键词： 相变薄膜 氧掺杂 反射率对比度 光存储 存储材料 光存储技术

作者: 顾四朋 侯立松 曾贤成 赵启涛

作者单位: 中国科学院上海光学精密机械研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国薄膜学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 23-26

在线出版日期: 2001-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）