中子辐射下双极IC不同工作电流时放大性能变化的计算机模拟研究方法
众所周知，晶体管中子损伤常数随发射极电流密度的变化而变化。而双极IC中的每只晶体管受中子辐射是电流的大小一般而言涌事先估计，从而使得中子损伤常数也是一未知数。如果能找出一种方法，由辐射下的瞬时电流即地计算出相应的损伤常数，则晶体管的β降低就可即时计算出来，由此出发预知整个IC的性能变化。该文将从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手，推出一套适用于计算机模拟数学模型、实验方法。
稳态中子辐射 晶体管筛选 双极型集成电路 放大性能
肖鹏 黄燕 夏培邦
电子部24所(重庆)
国内会议
江苏扬州
中文
129～133
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）