DC-5GHzGaAs单片压控衰减器的研制

摘要：

研制的GaAs单片压控衰减器频率范围为DC-5GHz，衰减量最大可达30dB，带内平坦度小于2.5dB芯片尺寸1.2×0.8mm2封装管壳尺寸5X6mm2，具有频带宽，平坦度好，控制功率小，响应速度快等特点，特别适用于宽带小型化的微波系统中应用。文中第二部分讲述了电路设计原理，FET模型，几种衰减电路的比较及选取，给出了单片衰减器的电路图，讲述了电路的工艺制作过程。第三部分给出了研制结果。

关键词： DC-5GHzGaAs单片压控衰减器

作者: 张广显 何庆国

作者单位: 集成电路国家级重点实验室电子部十三所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 210～212

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）