应力腐蚀的位错层次研究
任何应力腐蚀（阳极溶解型和氢致开裂型）均以位错发射、运动为先导，只有当腐蚀过程促进的局部塑性应变发展到临界条件，局部应力集中等于原子键合力时才导致应力腐蚀微裂纹形核，进而引起低应力脆断。不同环境促进位错发射、运动的原因不同。对阳极溶解型应力腐蚀，钝化膜或脱合金层引起的附加拉应力协助外加应力促进位错的发射和运动。对氢致开裂的应力腐蚀，腐蚀过程进入试样的氢促进位错的发射和运动。
位错运动 应力腐蚀 裂纹形核 位错发射
褚武扬
北京科技大学材料物理系(北京)
国内会议
北京
中文
27-31
1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）