电极表面ＴｉＢ〈，２〉薄膜改性后的真空绝缘效果

摘要：

一定结构的半球（阴极）－平板（阳极）组成的真空间隙，来模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用ＩＢＡＯ（高子束辅助沉积）法，在阴极半球面上沉积出结合程度很高的晶化ＴｉＢ〈，２〉薄膜。实验证明：相比不锈钢材料，在高达１０００℃的温度下，表面几乎不氧化，在单次脉冲高压作用下，在经受数百次高能微粒轰击后，还能承受更高电压、，放电特征参数，更弱，对脉冲电源形成的动态负载更轻。

关键词： 微放电模拟 表面改性 单交放电电流参数

作者: 方仁昌 罗四维

作者单位: 工程物理研究院应用电子学研究所(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 335～338

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）