会议专题

微波烧结ZTM/SiCp陶瓷

应用Al<,2>O<,3>+SiO<,2>→Mul的合成反应引入负反馈,产生“热过冲自我抑制”。使微波烧结ZTM/SiCp得以顺利进行。用微波烧结成功复相陶瓷ZTM/SiCp.常规无压烧结ZTM/SiCp中,SiC含量超过20vol℅时样品将起泡,微波烧结不受此限制。烧结过程中,微波场强E存在一临界值,E超过临界值,“热过冲自我抑制”作用将失效。场强E可以通过埋粉来调节。烧结ZTM/SiCp最适宜的埋粉是SiC。

微波烧结 ZTM/SiCp 热过冲 埋粉

戚凭 陈沙鸥

大学物理系

国内会议

第十届全国高技术陶瓷学术年会

青岛

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503~505

1998-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)