微波烧结ZTM/SiCp陶瓷
应用Al<,2>O<,3>+SiO<,2>→Mul的合成反应引入负反馈,产生“热过冲自我抑制”。使微波烧结ZTM/SiCp得以顺利进行。用微波烧结成功复相陶瓷ZTM/SiCp.常规无压烧结ZTM/SiCp中,SiC含量超过20vol℅时样品将起泡,微波烧结不受此限制。烧结过程中,微波场强E存在一临界值,E超过临界值,“热过冲自我抑制”作用将失效。场强E可以通过埋粉来调节。烧结ZTM/SiCp最适宜的埋粉是SiC。
微波烧结 ZTM/SiCp 热过冲 埋粉
戚凭 陈沙鸥
大学物理系
国内会议
青岛
中文
503~505
1998-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)