有耗匹配宽带MMIC功放研究
报道了国内首次开展的有耗匹配宽带单片功率放大器的研究结果。该有耗匹配宽带单片功率放大器为两级功放电路,采用Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在2.0-6.7GHz频带上线性增益为17dB±0.75dB,输入和输出驻波分别小于2。全频带上,输出功率为1-1.4W,功率附加效率大于20℅。该宽带单片功率放大器在Φ76mmGaAs单片MMIC工艺线上用全离子注入、0.5μm栅长工艺研制完成,电路芯片面积为2.6mm*2.7mm。
微波单片集成电路 有耗匹配 宽带功率放大器 RootFET模型
朱轩昂
国内会议
长沙
中文
158~162
1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)