真空反应法外延生长硅基GaN材料
该文报道采用简便的真空反应法在硅（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ薄膜，并对ＧａＮ薄膜的成分分布、结晶学性质和光学特性作了研究。外延膜表面光亮平整，无裂纹出现，二次离子质谱表明外延层镓和氮的分布基本均匀，氧含量比较低，Ｘ射线衍射图谱上有一个ＧａＮ的（０００２）衍射峰，其半高宽为０．５°，室温下的荧光光谱在３７３ｎｍ处有一个很强的发光峰，其半高宽为８ｎｍ（３５．７ｍｅＶ）。
外延生长 真空反应法 氮化镓
卢焕明 叶志镇 张昊翔
大学硅材料国家重点实验室(杭州)
国内会议
北京
中文
409～411
1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）