会议专题

真空反应法外延生长硅基GaN材料

该文报道采用简便的真空反应法在硅(111)衬底上生长出了六方结构的GaN薄膜,并对GaN薄膜的成分分布、结晶学性质和光学特性作了研究。外延膜表面光亮平整,无裂纹出现,二次离子质谱表明外延层镓和氮的分布基本均匀,氧含量比较低,X射线衍射图谱上有一个GaN的(0002)衍射峰,其半高宽为0.5°,室温下的荧光光谱在373nm处有一个很强的发光峰,其半高宽为8nm(35.7meV)。

外延生长 真空反应法 氮化镓

卢焕明 叶志镇 张昊翔

大学硅材料国家重点实验室(杭州)

国内会议

1998年中国材料研讨会

北京

中文

409~411

1999-01-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)